DDR3内存与DDR2内存在技术规格、兼容性以及价格上有所差异。DDR3（Dynamic Random Access Memory）是一种具有更高带宽和更低延迟的内存类型，常用于高性能计算机系统中。它通常支持更高的数据传输速率，并且具有更多的缓存区域来提高读取速度。而DDR2则相对较低的带宽和较高的延迟，适用于需要较高存储容量但不追求极高速度的应用场景。，， DDR3的典型参数包括频率、时钟周期、总线宽度、存储密度等；而 DDR2则有更严格的频率限制和一些额外的特性，如更快的写入速度和更强的耐久性。选择哪种类型的内存取决于系统的具体需求，如游戏性能、视频编辑质量、桌面办公效率等因素。
DDR3和DDR2的区别主要体现在以下几个方面:
1.逻辑Bank数量: DDR2 SDRAM中通常有4个或8个逻辑 Bank，DDR3则可能从2Gb开始，初期的逻辑 Bank就是8个，同时还有预留的8个逻辑 Bank用于未来的扩展。
2.封装(Packages): DDR3采用了78球 FBGA 或 96球 FBGA 封装，DDR2 则有60/68/84 球 FBGA 带有有害物质的封装。
3.突发长度(BL，Burst Length): DDR3 的突发传输周期 BL（Burst Length）固定为8，而 DDR2 和早期的 DDR 架构的系统默认 BL=4，DDR3 新增了4-bit Burst Chop 模式，通过 A12 地址线控制突发模式。
4.寻址时序(Timing): DDR3 的 CL 周期比 DDR2 长，通常在5 至11 之间，DDR3 还增加了写入延迟 CWD 参数，可以根据工作频率自定义。
在桌上型 Unbuffered DIMM 中，DDR3 具有以下优势:
1.速度更快: DDR3 提供了更宽的 prefetch buffer，核心频率下数据传输量是 DDR2 的两倍。
2.更省电: DDR3 Module电压从 DDR2 的1.8V 降低到1.5V，同时搭配 SRT（Self-Refresh Temperature）功能，内部增加温度传感器，可以根据温度动态调整更新率，从而实现节能。
3.容量更大: DDR3 每个逻辑 Bank 可以容纳更多数据，因此理论上容量可以从 4GB 升级到更大的单位元元，1GB、2GB 等，实际应用中，由于技术限制和成本考虑，某些品牌可能不会直接支持 4GB 的容量。
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