1、概念不同和存储数据时间不同，概念不同，dram是一种随机存取存储器，而nand是一种非易失性存储器，存储数据时间不同，dram用于临时存储数据，而nand用于长期存储数据，2、工作原理不同、速度和容量不同，工作原理：NAND使用了一种称为浮栅的技术，通过在电介质中存储电荷来表示数据的逻辑状态，DRAM则使用了电容器和逻辑门的组合，通过在电容器中存储电荷来表示数据的逻辑状态，3、以计算机win 7为例，DRAM与NAND区别如下：DRAM ，即动态随机存取存储器，DRAM只能将数据保持很短的时间。
NAND的基本操作
由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，擦除不能按字节擦除，而是全片或者分块擦除。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。
再去检查chip2，如果也是编程完了，也就可以进行接下来的其他页的编程了。如此，交互操作chip1和chip2，就可以有效地利用时间，使得整体编程效率提高近2倍，大大提高Nand Flash的编程/擦写速度了。
应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。
NAND是什么?
NAND是与非门。与非门，翻译为英语是NAND gate，是数字电路的一种基本逻辑电路。与非门则是当输入端中有1个或1个以上是低电平时，输出为高电平。只有所有输入是高电平时，输出才是低电平。
nand是和意思。128MB的RAM才是内存。而16GB的空间相当于电脑的硬盘，用于给用户存储数据用的。NAND是一种闪存，也是用于存储东西的。但是它存储的东西是操作系统、启动程序和文件系统。
NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显；ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。
与非门（英语：NAND gate）是数字电路的一种基本逻辑电路。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）；若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）。与非门可以看作是与门和非门的叠加。
NAND是目前闪存颗粒用的技术，SSD里面的存储颗粒就是一颗颗NAND Flash（闪存）SLC表示一种闪存颗粒的类型，区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。
nand怎么读
1、nand的读音：美英[nnd] 。
2、ferdinand的读音为 [frdnnd]。其中，fer 发音为 [f]，di 发音为 [d]，nand 发音为 [nnd]。
3、NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次)。
什么是nand,什么是nor
NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。
NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NOR Flash是一种非易失闪存技术，是Intel在1988年创建。
DRAM与NAND的区别
1、概念不同和存储数据时间不同。概念不同。dram是一种随机存取存储器，而nand是一种非易失性存储器。存储数据时间不同。dram用于临时存储数据，而nand用于长期存储数据。
2、工作原理不同、速度和容量不同。工作原理：NAND使用了一种称为浮栅（floatinggate）的技术，通过在电介质中存储电荷来表示数据的逻辑状态，DRAM则使用了电容器和逻辑门的组合，通过在电容器中存储电荷来表示数据的逻辑状态。
3、以计算机win 7为例，DRAM与NAND区别如下：DRAM ( Dynamic Random Access Memory )，即动态随机存取存储器。DRAM只能将数据保持很短的时间。